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零件图片（仅供参考）
2N7002DW H6327
规格参数
  • 制造商产品型号：2N7002DW H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：20pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：PG-SOT363-6
  • 2N7002DW H6327，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：2N7002DW H6327
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  • 产品应用分类：场效应管阵列
  • 点击此处查询2N7002DW H6327的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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