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规格参数
制造商产品型号:BSB280N15NZ3GXUMA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:OptiMOS?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):150V25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),30A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 30A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 60μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 75VFET功能:-功率耗散(最大值):2.8W(Ta),57W(Tc)工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M?BSB280N15NZ3GXUMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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