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规格参数
制造商产品型号:BSC030P03NS3GAUMA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:OptiMOS?零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):25.4A(Ta),100A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 50A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.1V @ 345μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):186nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):14000pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),125W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-TDSON-8-1BSC030P03NS3GAUMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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