BSC200P03LSGAUMA1（英飞凌，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TDSON-8-1）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：BSC200P03LSGAUMA1

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：OptiMOS?

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：9.9A（Ta），12.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 12.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2430pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），63W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PG-TDSON-8-1

BSC200P03LSGAUMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：BSC200P03LSGAUMA1

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询BSC200P03LSGAUMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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