BSO220N03MD G（英飞凌，场效应管阵列，PG-DSO-8）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：BSO220N03MD G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 7.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 15V

功率 - 最大值：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

BSO220N03MD G，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：BSO220N03MD G

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

产品应用分类：场效应管阵列

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