BSP296 L6433（英飞凌，单端场效应管，PG-SOT223-4）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：BSP296 L6433

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 1.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 400μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：364pF @ 25V

功率 - 最大值：1.79W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：PG-SOT223-4

BSP296 L6433，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：BSP296 L6433

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

产品应用分类：单端场效应管

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