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规格参数
制造商产品型号:BSS119NH6433XTMA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:OptiMOS?零件状态:不適用於新設計FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):190mA(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 190mA,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 13μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):20.9pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):500mW(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-SOT23-3BSS119NH6433XTMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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