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零件图片(仅供参考)
BSS123 L6327
规格参数
  • 制造商产品型号:BSS123 L6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):170mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 欧姆 @ 170mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.67nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):69pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:360mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:PG-SOT23-3
  • BSS123 L6327,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:BSS123 L6327
  • 原始制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询BSS123 L6327的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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