BSZ086P03NS3E G（英飞凌，单端场效应管，PG-TSDSON-8）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：BSZ086P03NS3E G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.5A（Ta），40A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4785pF @ 15V

功率 - 最大值：69W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

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基本参数：

电子零件型号：BSZ086P03NS3E G

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

产品应用分类：单端场效应管

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