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零件图片（仅供参考）
FF45MR12W1M1B11BOMA1
规格参数
  • 制造商产品型号：FF45MR12W1M1B11BOMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET MODULE 1200V 50A
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：CoolSiC?+
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：碳化硅（SiC）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tj）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 25A，15V（标准）
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 10mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1840pF @ 800V
  • 功率-最大值：20mW（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：模块
  • FF45MR12W1M1B11BOMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FF45MR12W1M1B11BOMA1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET MODULE 1200V 50A
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询FF45MR12W1M1B11BOMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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