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零件图片(仅供参考)
IGD10N65T6ARMA1
规格参数
  • 制造商产品型号:IGD10N65T6ARMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:IGD10N65T6ARMA1
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:TrenchStop?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):23A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):42.5A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,8.5A
  • 功率-最大值:75W
  • 开关能量:200μJ(开),70μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:27nC
  • 25°C时Td(开/关)值:30ns/106ns
  • 测试条件:400V,8.5A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • IGD10N65T6ARMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IGD10N65T6ARMA1
  • 原始制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 技术标准参数:IGD10N65T6ARMA1
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询IGD10N65T6ARMA1的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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