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零件图片（仅供参考）
IMW120R090M1HXKSA1
规格参数
  • 制造商产品型号：IMW120R090M1HXKSA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolSiC?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1.2kV
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：117 毫欧 @ 8.5A，18V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 3.7mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+23V，-7V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：707pF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：115W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：PG-TO247-3-41
  • IMW120R090M1HXKSA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IMW120R090M1HXKSA1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询IMW120R090M1HXKSA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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