IPB021N06N3 G（英飞凌，单端场效应管，PG-TO263-2）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IPB021N06N3 G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 196μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23000pF @ 30V

功率 - 最大值：250W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263-2

IPB021N06N3 G，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：IPB021N06N3 G

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

产品应用分类：单端场效应管

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