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零件图片（仅供参考）
IPD65R1K4CFDBTMA1
规格参数
  • 制造商产品型号：IPD65R1K4CFDBTMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolMOS?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：262pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：28.4W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO252-3
  • IPD65R1K4CFDBTMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IPD65R1K4CFDBTMA1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询IPD65R1K4CFDBTMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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