IPDD60R050G7XTMA1（英飞凌，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-HDSOP-10-1）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IPDD60R050G7XTMA1

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：CoolMOS? G7

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：47A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 15.9A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 800μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：68nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2670pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：278W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PG-HDSOP-10-1

IPDD60R050G7XTMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：IPDD60R050G7XTMA1

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询IPDD60R050G7XTMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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