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零件图片（仅供参考）
IPG20N06S4L11ATMA1
规格参数
  • 制造商产品型号：IPG20N06S4L11ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.2 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 28μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：53nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4020pF @ 25V
  • 功率-最大值：65W
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerVDFN
  • IPG20N06S4L11ATMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IPG20N06S4L11ATMA1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询IPG20N06S4L11ATMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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