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零件图片(仅供参考)
IPG20N06S4L11ATMA1
规格参数
  • 制造商产品型号:IPG20N06S4L11ATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.2 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 28μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):53nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4020pF @ 25V
  • 功率-最大值:65W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerVDFN
  • IPG20N06S4L11ATMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IPG20N06S4L11ATMA1
  • 原始制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询IPG20N06S4L11ATMA1的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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