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规格参数
制造商产品型号:IPI80N06S4L05AKSA2制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 40A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 60μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):110nC @ 10VVgs(最大值):±16V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8180pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):107W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:PG-TO262-3-1IPI80N06S4L05AKSA2,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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