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零件图片（仅供参考）
IPL60R199CP
规格参数
  • 制造商产品型号：IPL60R199CP
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
  • 系列：CoolMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16.4A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：199 毫欧 @ 9.9A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 660μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1520pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：139W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-TSFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：PG-VSON-4
  • IPL60R199CP，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IPL60R199CP
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询IPL60R199CP的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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