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规格参数
制造商产品型号:IPN70R360P7SATMA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS? P7零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):700V25°C时电流-连续漏极(Id):12.5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 3A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 150μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16.4nC @ 10VVgs(最大值):±16V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):517pF @ 400VFET功能:-功率耗散(最大值):7.2W(Tc)工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-SOT223IPN70R360P7SATMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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