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零件图片(仅供参考)
IPP060N06N
规格参数
  • 制造商产品型号:IPP060N06N
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Ta),45A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 45A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:3W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • IPP060N06N,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IPP060N06N
  • 原始制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询IPP060N06N的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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