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零件图片(仅供参考)
IRF9910TRPBF-1
规格参数
  • 制造商产品型号:IRF9910TRPBF-1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:HEXFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta),12A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13.4 毫欧 @ 10A,10V,9.3 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.55V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC,23nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):900pF,1860pF @ 10V
  • 功率-最大值:2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • IRF9910TRPBF-1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IRF9910TRPBF-1
  • 原始制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询IRF9910TRPBF-1的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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