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零件图片(仅供参考)
IRG8P08N120KD-EPBF
规格参数
  • 制造商产品型号:IRG8P08N120KD-EPBF
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:IGBT 1200V 15A TO247AD
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):15A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):15A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:89W
  • 开关能量:300μJ(开),300μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:45nC
  • 25°C时Td(开/关)值:20ns/160ns
  • 测试条件:600V,5A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):50ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • IRG8P08N120KD-EPBF,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IRG8P08N120KD-EPBF
  • 原始制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 技术标准参数:IGBT 1200V 15A TO247AD
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询IRG8P08N120KD-EPBF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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