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零件图片（仅供参考）
IRG8P08N120KD-EPBF
规格参数
  • 制造商产品型号：IRG8P08N120KD-EPBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT 1200V 15A TO247AD
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：15A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：15A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，5A
  • 功率-最大值：89W
  • 开关能量：300μJ（开），300μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：45nC
  • 25°C时Td（开/关）值：20ns/160ns
  • 测试条件：600V，5A，47 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：50ns
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • IRG8P08N120KD-EPBF，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IRG8P08N120KD-EPBF
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：IGBT 1200V 15A TO247AD
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询IRG8P08N120KD-EPBF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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