IRL60B216（英飞凌，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220AB）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：IRL60B216

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：HEXFET?, StrongIRFET?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：195A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：258nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15570pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220AB

IRL60B216，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：IRL60B216

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询IRL60B216的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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