SPB18P06P G（英飞凌，单端场效应管，PG-TO263-2）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SPB18P06P G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：860pF @ 25V

功率 - 最大值：81.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263-2

SPB18P06P G，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SPB18P06P G

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

产品应用分类：单端场效应管

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